吸著翹曲warpage對策回列表 2022-08-22 吸著翹曲warpage對策 先進半導體製程再處理和堆疊多層/或多個薄晶圓,通常是變形和翹曲warpage。 而當翹曲超過一定的幅度,對現有的自動化處理加工平台構成一定難度,因為難以抓取晶圓,最終可能導致晶圓損壞。 透過設計和選擇正確的真空吸嘴,無論任何翹曲程度和直徑尺寸我們可以穩固而精準地移載脆弱的晶圓。可顯著提高工藝良率和生產量能。 圖表 1晶片翹曲處理真空吸嘴-SEPG (ESD 10e6~10e9Ω抗靜電低印痕) Please enable JavaScript to view the comments powered by Disqus.